典型文献
不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响
文献摘要：
为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用.在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及一致性的影响.实验结果表明,表面活性剂不仅可以改善Cu和TEOS的去除速率一致性和晶圆全局一致性,还可以降低铜表面的粗糙度,通过复配两种不同的表面活性剂,可以提高Cu和TEOS的去除速率,使Cu和TEOS的剩余厚度片内非均匀性(WIWNU)分别降低至1.39％和1.38％,铜表面粗糙度从5.25 nm降至1.51 nm.基于实验结果,研究并提出了表面活性剂影响抛光液润湿性,从而改善片内非均匀性和铜表面质量的机理.
文献关键词：
化学机械抛光;表面活性剂;去除速率;片内非均匀性;粗糙度
中图分类号：
作者姓名：
魏艺璇;王辰伟;刘玉岭;赵红东
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;光电信息控制和安全技术重点实验室,天津 300308
文献出处：
引用格式：
[1]魏艺璇;王辰伟;刘玉岭;赵红东-.不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响)[J].电子元件与材料,2022(10):1108-1113
A类：
圆全,片内非均匀性,WIWNU
B类：
铜互连,阻挡层,CMP,层化,化学机械抛光,高平,平坦化,抛光液,非离子型表面活性剂,异辛醇,聚氧乙烯醚,JFC,复合表面活性剂,正硅酸乙酯,TEOS,去除速率,晶圆,全局一致性,复配,表面粗糙度,润湿性,表面质量
AB值：
0.227532
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