典型文献
GaN晶片芬顿反应化学机械抛光液组分优化
文献摘要：
针对芬顿反应CMP抛光GaN晶片的抛光液，开展以表面质量为评价指标的参数优化试验，找出抛光液组分的最优配比。结果表明：当H2O2质量分数为7.5%时， GaN晶片加工表面效果最优，表面粗糙度达到3.2 nm；催化剂能有效调节芬顿反应的速率，对比液体催化剂FeSO4溶液和固体催化剂Fe3O4粉末，固体催化剂Fe3O4粉末能在溶液中持续电离Fe2+，使芬顿反应能在整个加工过程中持续作用。当Fe3O4粉末粒径为20 nm时，抛光效果最佳，表面粗糙度达到3.0 nm；对比氧化铝、氧化铈、硅溶胶磨料，硅溶胶磨料抛光的表面效果最佳，晶片表面粗糙度达到3.3 nm；当硅溶胶磨料质量分数为20.0%，磨料粒径为60 nm时，抛光后晶片表面粗糙度达到1.5 nm。抛光液组分优化后，采用最优的抛光液组分参数抛光GaN晶片，其能获得表面粗糙度为0.9 nm的光滑表面。
文献关键词：
GaN晶片;芬顿反应;CMP抛光;催化剂
中图分类号：
作者姓名：
严杰文;路家斌;黄银黎;潘继生;阎秋生
作者机构：
广东工业大学机电学院,广州 510006;广州计量检测技术研究院,广州 510663
文献出处：
引用格式：
[1]严杰文;路家斌;黄银黎;潘继生;阎秋生-.GaN晶片芬顿反应化学机械抛光液组分优化)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(05):610-616
A类：
B类：
GaN,晶片,芬顿反应,化学机械抛光,抛光液组分,组分优化,CMP,表面质量,优化试验,最优配比,H2O2,表面粗糙度,FeSO4,固体催化剂,Fe3O4,电离,Fe2+,加工过程,粉末粒径,光效,氧化铝,氧化铈,硅溶胶,磨料
AB值：
0.212511
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