典型文献
超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究
文献摘要：
在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题.研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用机理.通过粒径和大颗粒测试仪表征抛光液粒径和大颗粒数的变化,通过扫描电子显微镜(SEM)和接触角测试仪表征抛光液的变化.通过缺陷检测仪测试验证CMP后缺陷情况.实验结果表明,加入活性剂在未超滤的情况下,抛光液平均粒径从66.1 nm降为65.3 nm,粒径分布更加集中,缺陷总数从4251降低至1480.在此基础上通过研究不同超滤工艺对缺陷的影响,结果显示,在5μm+1μm二级超滤系统下,抛光液大颗粒数量从34.25万颗/mL减少到26.12万颗/mL,经图形片验证,缺陷总数和各缺陷占比显著降低,对于提高电路性能和产品良率有着重要意义.
文献关键词：
化学机械抛光;缺陷;活性剂;超滤工艺;协同作用
中图分类号：
作者姓名：
崔志慧;王辰伟;刘玉岭;赵红东;续晨
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130;光电信息控制和安全技术重点实验室, 天津 300308
文献出处：
引用格式：
[1]崔志慧;王辰伟;刘玉岭;赵红东;续晨-.超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究)[J].电子元件与材料,2022(04):392-397
A类：
铜阻挡层
B类：
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AB值：
0.292556
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