典型文献
TTA-K与pH值对Ru阻挡层Cu互连图形片CMP的影响
文献摘要：
研究了甲基苯并三氮唑钾盐(TTA-K)与pH值协同作用对Ru基阻挡层Cu互连图形片Cu膜化学机械平坦化(CuCMP)后碟形坑及蚀坑的影响.静态腐蚀实验结果表明,Cu静态腐蚀速率和Cu去除速率随TTA-K体积分数增加而显著降低,随抛光液pH值增加而显著上升.即TTA-K对Cu静态腐蚀有明显的抑制作用,但TTA-K对Cu的抑制效果随抛光液pH值升高而逐渐减弱.图形片Cu CMP结果表明,在抛光液pH值为9时,仅体积分数0.1％的TTA-K即可将线宽和线间距分别为100 μm和100 μm的碟形坑深度由350 nm降低到70 nm,将线宽和线间距分别为9 μm和1 μm的蚀坑深度由250 nm控制在60 nm,且满足Cu和Ru去除速率比大于100:1的工艺要求,具有较强的平坦化性能.X射线光电子能谱(XPS)结果表明其平坦化机理为TTA-K与Cu形成钝化膜附着在Cu表面,阻挡了抛光液进一步腐蚀.
文献关键词：
化学机械平坦化(CMP);钌阻挡层;铜图形片;碟形坑;蚀坑
中图分类号：
作者姓名：
张雪;周建伟;王辰伟
作者机构：
黑龙江八一农垦大学信息与电气工程学院,黑龙江大庆 163000;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]张雪;周建伟;王辰伟-.TTA-K与pH值对Ru阻挡层Cu互连图形片CMP的影响)[J].微纳电子技术,2022(04):385-391
A类：
CuCMP,钌阻挡层,铜图形片
B类：
TTA,Ru,互连,苯并三氮唑,钾盐,化学机械平坦化,碟形坑,腐蚀实验,静态腐蚀速率,去除速率,抛光液,抑制效果,线宽,线间距,蚀坑深度,速率比,工艺要求,光电子能谱,XPS,钝化膜
AB值：
0.196505
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