典型文献
抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响
文献摘要：
氧化镓晶体具有高禁带宽度、耐高压、短吸收截止边等优点,是最具代表性的第四代半导体材料之一,具有广阔地应用前景.氧化镓晶体抛光过程易出现微裂纹、划痕等表面缺陷,难以实现高质量表面加工,无法满足相应器件的使用要求,且现有的氧化镓晶体抛光工艺复杂、效率低.固结磨料抛光技术具有磨粒分布及切深可控、磨粒利用率高等优点.采用固结磨料抛光氧化镓晶体,探究抛光垫基体硬度、磨料浓度和抛光液添加剂对被抛光材料去除率和表面质量的影响.结果表明:当抛光垫基体硬度适中为Ⅱ、金刚石磨粒浓度为100％、抛光液添加剂为草酸时,固结磨料抛光氧化镓晶体的材料去除率为68nm/min,表面粗糙度Sa为3.17nm.采用固结磨料抛光技术可以实现氧化镓晶体的高效高质量抛光.
文献关键词：
固结磨料抛光;氧化镓晶体;材料去除率;表面粗糙度;固结磨料抛光垫
中图分类号：
作者姓名：
吴成;李军;侯天逸;于宁斌;高秀娟
作者机构：
南京航空航天大学机电学院,南京210016;航空工业成都飞机工业(集团)有限责任公司检验检测部,成都610073
文献出处：
引用格式：
[1]吴成;李军;侯天逸;于宁斌;高秀娟-.抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(06):720-727
A类：
68nm,17nm,固结磨料抛光垫
B类：
抛光液,光氧化,氧化镓晶体,禁带宽度,耐高压,截止,第四代,半导体材料,光过,微裂纹,划痕,表面缺陷,难以实现,表面加工,使用要求,抛光工艺,抛光技术,切深,材料去除率,表面质量,适中,金刚石磨粒,草酸,表面粗糙度,Sa
AB值：
0.156984
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