典型文献
基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化
文献摘要：
为提高单晶硅化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)的表面质量和抛光速度,通过响应面法优化CMP抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数,结果表明抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量对材料去除率和抛光后表面粗糙度的影响依次减小.通过数学模型和试验验证获得最优的工艺参数为:抛光压力,48.3kPa;抛光盘转速,70r/min;抛光液流量,65mL/min.在此工艺下,单晶硅CMP的材料去除率为1 058.2 nm/min,表面粗糙度为0.771 nm,其抛光速度和表面质量得到显著提高.
文献关键词：
化学机械抛光;硅;响应面法;材料去除率;表面粗糙度
中图分类号：
作者姓名：
卞达;宋恩敏;倪自丰;钱善华;赵永武
作者机构：
江南大学机械工程学院,江苏无锡214122;江苏省先进食品制造装备技术重点实验室,江苏无锡214122
文献出处：
引用格式：
[1]卞达;宋恩敏;倪自丰;钱善华;赵永武-.基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(06):745-752
A类：
70r,65mL
B类：
单晶硅,CMP,抛光工艺,工艺参数优化,硅化,化学机械抛光,chemical,mechanical,polishing,表面质量,光速,过响应,响应面法优化,光压,光盘,抛光液,材料去除率,表面粗糙度,3kPa
AB值：
0.22447
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