典型文献
有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术
文献摘要：
介绍了有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术发展概况,基于陶瓷基板、有机介质薄膜和金属化布线及互连制备工艺,详细阐述了有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连中的四种关键技术:陶瓷基板收缩率控制、陶瓷基板表面处理、有机介质薄膜制备和金属化布线及互连.陶瓷基板收缩率控制是通过改善陶瓷基板制备工艺,实现了对陶瓷基板通孔位置的控制,进而使陶瓷基板更好地与薄膜工艺相匹配;陶瓷基板表面处理是利用化学机械抛光(CMP)处理陶瓷基板表面,使基板表面粗糙度和平整度满足有机介质薄膜工艺需求,实现了在陶瓷基板上兼容有机介质薄膜;有机介质薄膜由低介电常数的有机高分子聚合物通过旋涂和烘焙而成,再通过多次薄膜工艺实现了多层有机介质薄膜的制备;金属化布线及互连利用物理气相沉积(PVD)技术制备粘附层金属和导电层金属,实现了介质层金属化布线和层间金属化互连.最后展望了有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术的发展趋势.
文献关键词：
异构集成;陶瓷基板;有机介质薄膜;异构互连;表面处理;金属化布线及互连
中图分类号：
作者姓名：
杨鑫;刘英坤;张鹤;张崤君;杨欢;高岭
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]杨鑫;刘英坤;张鹤;张崤君;杨欢;高岭-.有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术)[J].微纳电子技术,2022(01):99-106
A类：
有机介质薄膜,金属化布线及互连,异构互连
B类：
异构集成,发展概况,陶瓷基板,制备工艺,收缩率,率控制,表面处理,薄膜制备,通孔,孔位,薄膜工艺,化学机械抛光,CMP,基板表面粗糙度,平整度,低介电常数,有机高分子,高分子聚合物,过旋,旋涂,烘焙,物理气相沉积,PVD,粘附,导电层
AB值：
0.140318
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