典型文献
分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果
文献摘要：
采用分子束外延技术(MBE)制备了碲化镉(CdTe)原位钝化的中波碲镉汞(HgCdTe)材料.原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch,表面粗糙度为1～2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密.微波光导测试结果显示,77 K时,与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比,CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大.制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件,和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似.
文献关键词：
碲化镉;原位钝化;原子力显微镜;扫描电子显微镜;电压电流特性
中图分类号：
作者姓名：
解晓辉;林春;陈路;赵玉;张竞;何力
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所,上海200083
文献出处：
引用格式：
[1]解晓辉;林春;陈路;赵玉;张竞;何力-.分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果)[J].红外与毫米波学报,2022(02):413-419
A类：
B类：
分子束外延,碲镉汞,中波,钝化效果,MBE,碲化镉,原位钝化,HgCdTe,原子力显微镜,AFM,cross,hatch,表面粗糙度,界面结合,波光,光导,表面处理,少子寿命,光伏器件,ZnS,电压电流特性
AB值：
0.278903
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