典型文献
一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法
文献摘要：
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究.通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6 μm和12 μm减小到了6.6～10.0 μm和8.4 μm.该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域.
文献关键词：
深硅刻蚀;减小底部圆角;硅微腔;硅通孔(TSV);先进封装
中图分类号：
作者姓名：
林源为;赵晋荣
作者机构：
北京北方华创微电子装备有限公司,北京 100176
文献出处：
引用格式：
[1]林源为;赵晋荣-.一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法)[J].半导体技术,2022(01):42-45,64
A类：
减小底部圆角
B类：
深硅刻蚀,刻蚀工艺,化学刻蚀,各向同性,而过,工艺应用,带来不利,埋入式,扇出,硅微腔,5D,硅通孔,TSV,BOSCH,偏置,单步,沉积时间,微电子机械系统,MEMS,电子器件,先进封装
AB值：
0.302135
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