典型文献
一种基于Au-TiW触点的提高RF MEMS开关寿命的方法
文献摘要：
针对基于Au-Au触点的射频微电子机械系统(RF MEMS)开关寿命低的问题,提出了一种高寿命RF MEMS开关的研制方法.对比Au与其他金属的硬度、杨氏模量以及方阻,最终选择性能优良的TiW金属作为新触点材料,其制备参数为溅射功率300 W,气压5 mTorr(1 mTorr=0.133 Pa),溅射时间1 568 s.设计了基于Au-TiW触点的RF MEMS开关工艺流程,给出了详细工艺参数,为进一步提高可靠性,设计了 RF MEMS开关封装工艺流程并制作了封装样品.测试比较了基于Au-Au触点的RF MEMS开关与基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的寿命与射频性能.结果表明,虽然基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的射频性能有所降低,但开关寿命提高了两个数量级.该研究为提高RF MEMS开关的寿命提供了一种解决办法.
文献关键词：
微电子机械系统(MEMS);射频(RF)开关;开关寿命;触点材料;可靠性
中图分类号：
作者姓名：
朱光州;王志斌;吴倩楠;李孟委
作者机构：
中北大学仪器与电子学院,太原 030051;中北大学微系统集成研究中心,太原 030051;中北大学前沿交叉科学研究院,太原 030051;中北大学理学院,太原 030051
文献出处：
引用格式：
[1]朱光州;王志斌;吴倩楠;李孟委-.一种基于Au-TiW触点的提高RF MEMS开关寿命的方法)[J].微纳电子技术,2022(08):801-806,812
A类：
TiW
B类：
Au,RF,MEMS,开关寿命,微电子机械系统,高寿,杨氏模量,方阻,性能优良,触点材料,制备参数,溅射功率,mTorr,Pa,溅射时间,细工,高可靠性,封装工艺,装样,射频性能,数量级,解决办法
AB值：
0.236213
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