典型文献
先进工艺中刻蚀关键尺寸的优化研究
文献摘要：
阐述在14nm FinFET及以下工艺,由于器件需要,较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm.DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右.探讨在形成最终的关键尺寸过程中,刻蚀工艺起到至关重要的作用.通过刻蚀工艺的细致研究,不仅可以根据需求得到不同的刻蚀偏差,同时能够对关键尺寸均匀性(CD Uniformity)进行优化,从而达到芯片制造的需求.
文献关键词：
集成电路制造;关键尺寸;刻蚀;偏差;均匀性
中图分类号：
作者姓名：
周利民;刘少雄
作者机构：
上海华力集成电路制造有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]周利民;刘少雄-.先进工艺中刻蚀关键尺寸的优化研究)[J].集成电路应用,2022(05):14-16
A类：
38nm
B类：
先进工艺,关键尺寸,14nm,FinFET,制程,22nm,DUV,光刻工艺,刻蚀工艺,尺寸均匀性,CD,Uniformity,芯片制造,集成电路制造
AB值：
0.403428
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
