典型文献
基于交联型丙烯酸酯类共聚物的Krf光刻胶分析
文献摘要：
阐述在40nm以下技术节点的光刻工艺中,深紫外光刻胶(Krf Photoresist)应用比较广泛,仍是使用量最大的光刻胶种类,但已量产的Krf光刻胶由于开发时间较早,在部分工艺中抗刻蚀性能上存在不足.通过使用交联型单体合成一种交联型丙烯酸酯类共聚物,由于其独特的交联网状结构,该树脂与非交联型的树脂相比,其可以显著增强光刻胶树脂在刻蚀工艺中抗刻蚀性能.将该交联型共聚物配制成Krf光刻胶,经测试该光刻胶满足集成电路芯片制造中耐蚀刻要求,并且满足Dense和ISO光刻图形分辨率达到140nm的工艺要求.
文献关键词：
集成电路制造;交联型;丙烯酸酯类共聚物;光刻胶;分辨率;刻蚀
中图分类号：
作者姓名：
耿文练;秦龙;孙小侠
作者机构：
儒芯微电子材料(上海)有限公司,上海 201206;沧州信联化工有限公司,河北 061109
文献出处：
引用格式：
[1]耿文练;秦龙;孙小侠-.基于交联型丙烯酸酯类共聚物的Krf光刻胶分析)[J].集成电路应用,2022(09):32-35
A类：
Krf,Photoresist,抗刻蚀性,140nm
B类：
交联型,丙烯酸酯类共聚物,光刻胶,光刻工艺,深紫外光刻,应用比较,网状结构,强光,刻蚀工艺,芯片制造,耐蚀,蚀刻,Dense,ISO,工艺要求,集成电路制造
AB值：
0.162755
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