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高深宽比的TSV镀铜工艺技术研究
文献摘要：
镀铜填充时,形成空洞或缝隙都将导致芯片严重的可靠性问题,从设备能力和电镀药液两个方面分析了对镀铜填充效果的影响,并在孔径10μm、深宽比10:1的硅通孔内进行工艺验证.结果表明:镀前预湿处理、镀液快速搅拌、电场均匀分布、镀液添加剂的浓度及配比等4个方面对实现硅通孔无缺陷填充起了决定性作用.
文献关键词：
硅通孔;高深宽比;镀铜填充
中图分类号：
作者姓名：
魏红军;谢振民;雷光宇
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176
文献出处：
引用格式：
[1]魏红军;谢振民;雷光宇-.高深宽比的TSV镀铜工艺技术研究)[J].电子工业专用设备,2022(05):43-46
A类：
镀铜填充
B类：
高深宽比,TSV,工艺技术,缝隙,电镀,药液,填充效果,硅通孔,工艺验证,均匀分布,无缺
AB值：
0.248341
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