典型文献
TSV结构对环形物质波波导的影响
文献摘要：
由于需要外部电源的接入,传统芯片上的环形结构的物质波波导无法形成完全封闭的环形结构,其产生的环形磁阱存在天然缺陷,阻碍了对冷原子的有效操控.利用硅通孔(TSV)技术能够在垂直于原子芯片表面方向接入导线,有望降低接入导线对环形磁阱的影响.本文通过有限元方法对基于TSV技术的环形原子物质波波导进行仿真研究,对导线加载电流时的磁场进行仿真分析,并系统研究了TSV横截面形状、通孔深度、通孔间隙等因素对环形导线所产生磁阱的影响.最终结合仿真结果,设计一种在加工工艺上切实可行的基于TSV结构的环形波导原子芯片.
文献关键词：
环形物质波波导;原子芯片;磁阱;硅通孔
中图分类号：
作者姓名：
罗小嘉;杨丽君;罗俊杰
作者机构：
中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610200
文献出处：
引用格式：
[1]罗小嘉;杨丽君;罗俊杰-.TSV结构对环形物质波波导的影响)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(05):506-512
A类：
环形物质波波导,磁阱,原子芯,原子芯片
B类：
TSV,外部电源,环形结构,全封闭,冷原子,操控,硅通孔,垂直于,导线,有限元方法,导进,仿真研究,流时,横截面形状,孔深,加工工艺
AB值：
0.176271
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
