典型文献
基于COMSOL的TSV电感多物理场耦合特性研究
文献摘要：
基于硅通孔(TSV)技术,提出了应用于三维集成电路的三维螺旋电感.在实际应用中,TSV电感存在电场、温度场和力场之间的相互耦合,最终会影响TSV电感的实际电学性能.考虑P型和N型两种硅衬底材料,采用COMSOL仿真软件,对TSV电感进行多物理场耦合研究.结果表明,在P型硅衬底情况下,多物理场耦合的影响更大,TSV电感的电感值和品质因数的变化率可达 14.13％和5.91％.
文献关键词：
硅通孔;多物理场;COMSOL;三维集成电路
中图分类号：
作者姓名：
尹湘坤;刘景亭;王凤娟
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院,西安710071;西安理工大学 自动化与信息工程学院,西安710048
文献出处：
引用格式：
[1]尹湘坤;刘景亭;王凤娟-.基于COMSOL的TSV电感多物理场耦合特性研究)[J].微电子学,2022(01):115-119
A类：
B类：
COMSOL,TSV,多物理场耦合,耦合特性,硅通孔,三维集成电路,螺旋电感,互耦,终会,电学性能,硅衬底,耦合研究,底情,电感值,品质因数
AB值：
0.257701
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