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Ku波段200W GaN功率放大器的设计与实现
文献摘要：
研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器,功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行功率合成,总栅宽为38.4 mm.以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据,采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计.该GaN功率放大器在14.5～15.0GHz频率范围内的输出功率(Pout)大于200W,功率增益(Gp)大于7dB,最高功率附加效率(ηPAE)达到43％.
文献关键词：
Ku波段;GaN;大功率;功率放大器
中图分类号：
作者姓名：
苏鹏;顾黎明;唐世军;周书同
作者机构：
南京电子器件研究所,南京 210016
文献出处：
引用格式：
[1]苏鹏;顾黎明;唐世军;周书同-.Ku波段200W GaN功率放大器的设计与实现)[J].电子与封装,2022(11):58-62
A类：
B类：
Ku,波段,200W,GaN,功率放大器,大功率,高电子迁移率晶体管,HEMT,功率合成,小信号,大信号,负载牵引,ADS,配电,电路仿真,仿真设计,0GHz,输出功率,Pout,Gp,7dB,高功率,功率附加效率,PAE
AB值：
0.396159
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