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"双碳"目标下三代半导体的发展分析
文献摘要：
第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能,是新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料.通过大力发展第三代半导体,尤其是目前大量应用的碳化硅和氮化镓,以及探索新一代半导体材料,对支撑碳达峰、碳中和意义重大.
文献关键词：
双碳;第三代半导体;高效
中图分类号：
作者姓名：
许景通;王二超;常青松;徐达;袁彪;史光华
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]许景通;王二超;常青松;徐达;袁彪;史光华-."双碳"目标下三代半导体的发展分析)[J].电子工艺技术,2022(01):4-7
A类：
B类：
发展分析,第三代半导体,碳化硅,氮化镓,高频率,高功率,耐高压,耐高温,高导热,新一代移动通信,新能源汽车,轨道列车,能源互联网,互联网产业,核心材料,半导体材料,碳中和意义
AB值：
0.319672
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