典型文献
GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展
文献摘要:
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点.GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛的应用前景.综述了GaN基SBD的工作原理,目前面临的主要问题,以及器件设计和结构优化的研究进展,包括横向结构(AlGaN/GaN异质结)SBD的外延、肖特基阳极和终端结构的优化;展示了垂直SBD及准垂直SBD的研究进展;最后,对GaN基SBD的进一步发展进行了总结和展望.
文献关键词:
氮化镓(GaN);肖特基势垒二极管(SBD);结构优化;垂直器件;准垂直器件
中图分类号:
作者姓名:
程海娟;郭伟玲;马琦璟;郭浩;秦亚龙
作者机构:
北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京 100124
文献出处:
引用格式:
[1]程海娟;郭伟玲;马琦璟;郭浩;秦亚龙-.GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展)[J].半导体技术,2022(07):505-512
A类:
垂直器件,准垂直器件
B类:
肖特基势垒二极管,氮化镓,第三代,宽禁带半导体,半导体材料,和速率,击穿,热导率,SBD,工作频率,导通电阻,耐高温高压,电动汽车,数据中心,器件设计,AlGaN,异质结,阳极,终端结构
AB值:
0.247334
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