典型文献
高温半导体技术助力碳化硅性能发挥极致
文献摘要：
用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率;更为重要的进步,将是充分发挥碳化硅的基础性能优势,从而能够实现原本IGBT难以实现或根本不能做到的应用,为系统应用设计者提供全新的拓展空间.这特别反映在两个重要方面:其一,高功率密度应用,其所导致的温升,使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要;其二,高温环境应用,通常是指没有液冷条件的应用,更加考验器件本身的耐温能力及其高温寿命.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
罗宁胜
作者机构：
Cissoid 公司
文献出处：
引用格式：
[1]罗宁胜-.高温半导体技术助力碳化硅性能发挥极致)[J].中国集成电路,2022(06):31-36
A类：
高温寿命
B类：
半导体技术,技术助力,碳化硅,极致,功率器件,硅基,IGBT,益处,小体积,提高效率,更为重要,基础性能,性能优势,难以实现,系统应用,应用设计,设计者,拓展空间,高功率密度,耐温,热管理系统,高温环境,环境应用,液冷,加考
AB值：
0.472226
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