典型文献
第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势
文献摘要：
第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点,其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备,主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备.根据SiC技术及产业的发展特点,分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状,展望了设备的未来发展趋势.
文献关键词：
碳化硅;单晶生长;外延;芯片制程
中图分类号：
作者姓名：
杨金;巩小亮;何永平
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南 长沙 410111
文献出处：
引用格式：
[1]杨金;巩小亮;何永平-.第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势)[J].电子工业专用设备,2022(03):8-13
A类：
B类：
第三代半导体,SiC,装备现状,半导体材料,熔点,制备工艺,工艺装备,单晶生长,衬底,外延生长,离子注入机,高温氧化,氧化炉,芯片制程,发展特点,工艺设备,设备特点,特点及应用,碳化硅
AB值：
0.413
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
