典型文献
碳化硅器件挑战现有封装技术
文献摘要：
碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战.现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步.在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向.同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估.
文献关键词：
功率器件;碳化硅;封装技术;连接技术;电力牵引驱动系统;基板;散热底板;热膨胀系数
中图分类号：
作者姓名：
曹建武;罗宁胜;Pierre Delatte;Etienne Vanzieleghem;Rupert Burbidge
作者机构：
CISSOID中国代表处,广东深圳518118;CISSOID S.A.,Mont Saint Guibert,1435,Belgium;CISSOID S.A.,Tarbes,65000,France
文献出处：
引用格式：
[1]曹建武;罗宁胜;Pierre Delatte;Etienne Vanzieleghem;Rupert Burbidge-.碳化硅器件挑战现有封装技术)[J].电子与封装,2022(02):12-24
A类：
电力牵引驱动系统,散热底板
B类：
碳化硅器件,封装技术,SiC,新特性,移动应用,功率密度,功率器件,有功,硅基,绝缘栅双极晶体管,Insulated,Gate,Bipolar,Transistor,IGBT,金属氧化物半导体场效应晶体管,Metal,Oxide,Semiconductor,Field,Effect,MOSFET,革命性,功率模块,叠层结构,离散化,连接技术,基板,热膨胀系数
AB值：
0.320289
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
