典型文献
高功率芯片封装材料烧结纳米银的尺寸效应
文献摘要：
以SiC、GaN等新材料制备的宽禁带半导体功率器件具有耐高温、高频等优异性能,将逐步取代低效的Si半导体材料.随着宽禁带半导体电子元器件在航空、航天以及新能源汽车等领域的应用,功率芯片高密度、高功率的发展趋势将导致新一代电子封装材料面临大电流、高温服役的极端环境,这对电子器件的寿命以及封装材料提出了新的挑战.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
宫贺;姚尧
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]宫贺;姚尧-.高功率芯片封装材料烧结纳米银的尺寸效应)[J].电子与封装,2022(06):封3
A类：
B类：
高功率,芯片封装,烧结,结纳,纳米银,尺寸效应,SiC,GaN,材料制备,宽禁带半导体,半导体功率器件,耐高温,优异性能,半导体材料,电子元器件,新能源汽车,代电,电子封装材料,料面,大电流,高温服役,极端环境,电子器件
AB值：
0.401318
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