典型文献
SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展
文献摘要：
第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效.简要介绍了 SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律,分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题,特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同,为今后深入开展SiC肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据.
文献关键词：
碳化硅;辐照诱生缺陷;深能级缺陷;电学性能;重离子辐照
中图分类号：
作者姓名：
杨治美;高旭;李芸;黄铭敏;马瑶;龚敏
作者机构：
四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064;四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064
文献出处：
引用格式：
[1]杨治美;高旭;李芸;黄铭敏;马瑶;龚敏-.SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展)[J].电子与封装,2022(05):1-9
A类：
辐照诱生缺陷
B类：
SiC,功率器件,第三代,宽禁带半导体,碳化硅,核工业,极端环境,辐照损伤,器件性能,性能退化,辐照效应,敏感参数,参数退化,重离子辐照,缺陷形成机理,肖特基二极管,Schottky,Barrier,Diode,SBD,相关器,抗辐照性能,深能级缺陷,电学性能
AB值：
0.295296
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