典型文献
10kV SiC GTO器件特性研究
文献摘要：
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求.考虑到正向阻断电压、正向导通压降和脉冲电路下的开启时间等,提出了 10kV 4H-SiC GTO器件,借助Silvaco TCAD仿真研究了 GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性、动态开关特性和脉冲放电特性,得出了其正向导通压降为4.605 V,正向阻断电压为14.78kV,开启时间为55ns,关断时间为13.3ns.
文献关键词：
4H-SiC;门极可关断晶闸管;脉冲放电特性
中图分类号：
作者姓名：
程琳;罗佳敏;龚存昊;张有润;唐毅;门富媛;都小利
作者机构：
国网安徽省电力有限公司培训中心,合肥230022;电子科技大学电子科学与工程学院,成都611731
文献出处：
引用格式：
[1]程琳;罗佳敏;龚存昊;张有润;唐毅;门富媛;都小利-.10kV SiC GTO器件特性研究)[J].电子与封装,2022(03):12-17
A类：
门极可关断晶闸管,脉冲放电特性,78kV,55ns,3ns
B类：
10kV,SiC,GTO,器件特性,第三代,宽禁带半导体,半导体材料,4H,超高压,Gate,Turn,Off,Thyristor,载流子,电导调制效应,耐高压,功率密度,超大功率,大功率应用,断电,向导,导通压降,路下,开启时间,Silvaco,TCAD,仿真研究,开关特性,降为,关断时间
AB值：
0.338278
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