典型文献
高温SOI技术的发展现状和前景
文献摘要：
高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域.近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI器件是非常理想的搭配,适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景,为系统应用设计者提供了全新的拓展空间.在简述体硅半导体器件高温困境的基础上,综述了高温SOI技术的发展现况,并探讨了其未来的发展方向和应用前景.
文献关键词：
体硅;绝缘层上硅;SiC;高温SOI技术
中图分类号：
作者姓名：
罗宁胜;曹建武
作者机构：
CISSOID中国代表处,广东深圳 518118
文献出处：
引用格式：
[1]罗宁胜;曹建武-.高温SOI技术的发展现状和前景)[J].电子与封装,2022(12):85-93
A类：
绝缘层上硅
B类：
SOI,高温绝缘,技术突破,体硅,半导体器件,石油天然气,气钻,钻探,航空航天,尖端,第三代,宽禁带半导体,半导体功率器件,SiC,耐高压,耐高温,常理,难以实现,系统应用,应用设计,设计者,拓展空间,发展现况
AB值：
0.325135
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