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IGBT的研究与进展
文献摘要：
本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展,阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了IGBT技术面临的技术挑战和发展趋势.
文献关键词：
功率半导体器件;硅材料;绝缘栅双极晶体管;碳化硅
中图分类号：
作者姓名：
陈利
作者机构：
福建晋润半导体技术有限公司
文献出处：
引用格式：
[1]陈利-.IGBT的研究与进展)[J].中国集成电路,2022(12):13-23,28
A类：
B类：
IGBT,硅基,功率半导体器件,历史演变,新型器件,器件结构,在轨,直流输电,新能源汽车,研发进展,技术挑战,硅材料,绝缘栅双极晶体管,碳化硅
AB值：
0.380792
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