典型文献
一种基于 GaN的0.5-4GHz高效率宽带功率放大器设计
文献摘要：
宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多,具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带功率放大器的应用.本文基于GaN功率管的大信号仿真模型,采用宽带匹配技术进行功率管的匹配电路设计.通过ADS软件仿真和优化,设计了一款工作在0.5-4GHz宽频带范围的功率放大器.仿真结果显示,在0.5-4GHz内,功率附加效率(Power added efficiency,PAE)超过60％,增益大于11dB,增益平坦度为±1.5dB,且端口驻波性能良好,满足了发射机系统的要求.
文献关键词：
宽带功率放大器;GaN;宽带匹配电路;PAE
中图分类号：
作者姓名：
邱俊杰;李武
作者机构：
宁波大学信息科学与工程学院,宁波315211
文献出处：
引用格式：
[1]邱俊杰;李武-.一种基于 GaN的0.5-4GHz高效率宽带功率放大器设计)[J].无线通信技术,2022(03):35-39,45
A类：
11dB,宽带匹配电路
B类：
GaN,4GHz,宽带功率放大器,宽带大功率,大功率微波,微波功率,击穿场强,高功率密度,第三代半导体,功率管,大信号,信号仿真,匹配技术,电路设计,ADS,软件仿真,宽频带,功率附加效率,Power,added,efficiency,PAE,增益平坦度,5dB,端口,驻波,发射机系统
AB值：
0.326184
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