典型文献
GaN功率器件调制电路在T/R组件中的设计与应用
文献摘要：
介绍了一种GaN功率器件调制电路的设计方法.该调制电路广泛用于T/R组件发射链路的大功率GaN功放,具有高电压工作、大电流供给以及尖峰电压抑制等功能.文中重点论述了调制电路的原理,指出尖峰电压抑制功能是实现该调制电路的难点.经仿真分析实现了延时在500 ns以内、负压检测电平在-4.2～-3.8 V的关键指标.最后选用聚四氟乙烯印制板设计出GaN功率器件调制电路实物,在T/R组件中进行了应用验证,测试结果与仿真结论相符.该调制电路体积小、可靠性高,可用于高功率GaN功放的设计,具有广阔的工程应用前景.
文献关键词：
氮化镓;调制电路;尖峰电压
中图分类号：
作者姓名：
夏达;蔡晓波;孙引进
作者机构：
中国电子科技集团公司第十四研究所,南京210039
文献出处：
引用格式：
[1]夏达;蔡晓波;孙引进-.GaN功率器件调制电路在T/R组件中的设计与应用)[J].微波学报,2022(06):67-70
A类：
B类：
GaN,功率器件,调制电路,发射链路,大功率,功放,高电压,大电流,尖峰电压抑制,抑制功能,延时,ns,负压,电平,关键指标,聚四氟乙烯,印制板,应用验证,体积小,可靠性高,高功率,氮化镓
AB值：
0.2704
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