典型文献
高可靠GaN内匹配功率器件降额研究
文献摘要：
基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即Ⅰ级、Ⅱ级、Ⅲ级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍.通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF),并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据,得出了GaN功率器件不同等级的结温降额数值,即Ⅰ级、Ⅱ级、Ⅲ级降额结温分别为135～140、160和180℃,降额系数分别为0.6～0.62、0.71和0.8.选用一款X波段20 W GaN内匹配功率器件进行验证,在提出的Ⅰ级降额条件下,该器件已安全工作超18 000 h.提出的降额条件对GaN功率器件的设计和应用具有一定的指导意义.
文献关键词：
动态负载线;降额准则;平均失效时间(MTTF);击穿电压;结温
中图分类号：
作者姓名：
吴家锋;赵夕彬;徐守利;陈鹏;银军;默江辉
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]吴家锋;赵夕彬;徐守利;陈鹏;银军;默江辉-.高可靠GaN内匹配功率器件降额研究)[J].半导体技术,2022(07):518-523
A类：
动态负载线,降额准则
B类：
高可靠,GaN,内匹配,功率器件,功率放大器,Si,GaAs,应用经验,不同等级,电压降,击穿电压,工作电压,可靠性试验,工作条件,平均失效时间,MTTF,厂家,结温,温降,额数,波段,安全工作,设计和应用
AB值：
0.238256
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