典型文献
具有栅介质电场屏蔽作用的新型GaN纵向槽栅MOSFET器件设计
文献摘要：
基于氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体的金氧半场效应晶体管(MOSFET)器件在关态耐压下,栅介质中存在与宽禁带半导体临界击穿电场相当的大电场,致使栅介质在长期可靠性方面受到挑战.为了避免在GaN器件中使用尚不成熟的p型离子注入技术,提出了一种基于选择区域外延技术制备的新型GaN纵向槽栅MOSFET,可通过降低关态栅介质电场来提高栅介质可靠性.提出了关态下的耗尽区结电容空间电荷竞争模型,定性解释了栅介质电场p型屏蔽结构的结构参数对栅介质电场的影响规律及机理,并通过权衡器件性能与可靠性的关系,得到击穿电压为1 200 V、栅介质电场仅0.8 MV/cm的具有栅介质长期可靠性的新型GaN纵向槽栅MOSFET.
文献关键词：
氮化镓;栅介质可靠性;功率MOSFET;纵向槽栅结构;电场屏蔽
中图分类号：
作者姓名：
黎城朗;吴千树;周毓昊;张津玮;刘振兴;张琦;刘扬
作者机构：
中山大学电子与信息工程学院,广州510006;中山大学电力电子及控制技术研究所,广州510275;广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心,广州510275
文献出处：
引用格式：
[1]黎城朗;吴千树;周毓昊;张津玮;刘振兴;张琦;刘扬-.具有栅介质电场屏蔽作用的新型GaN纵向槽栅MOSFET器件设计)[J].半导体光电,2022(03):466-471
A类：
栅介质可靠性,纵向槽栅结构
B类：
电场屏蔽,屏蔽作用,GaN,MOSFET,器件设计,氮化镓,WBG,半场,场效应晶体管,耐压,宽禁带半导体,离子注入,域外,耗尽,结电容,空间电荷,竞争模型,屏蔽结构,衡器,器件性能,击穿电压,MV
AB值：
0.280423
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
