典型文献
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用
文献摘要：
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素.金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片.采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装.分别采用有限元仿真及红外热成像仪对放大器的芯片结温进行仿真和测试,结果显示,采用金刚石载片封装的放大器的结温比采用钼铜(MoCu30)载片封装的放大器的结温降低了 30.01℃,约18.69％.同其他常用载片材料进行进一步对比得出,在相同工作条件下,采用金刚石载片封装的放大器结温最低,并且随着热耗增加,金刚石的散热能力更为突出.在芯片安全工作温度175℃以下,金刚石能满足GaN功率放大器100 W热耗的散热需求.
文献关键词：
GaN功率放大器;金刚石材料;有限元仿真;芯片结温;散热能力
中图分类号：
作者姓名：
崔朝探;陈政;郭建超;赵晓雨;何泽召;杜鹏搏;冯志红
作者机构：
河北新华北集成电路有限公司,石家庄 050200;河北省卫星通信射频技术创新中心,石家庄 050200;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]崔朝探;陈政;郭建超;赵晓雨;何泽召;杜鹏搏;冯志红-.金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用)[J].半导体技术,2022(10):834-838
A类：
MoCu30
B类：
GaN,功率放大器,热设计,小型化,热耗,器件性能,性能提升,热导率,大功率器件,封装,装载,片材,有限元仿真,红外热成像仪,芯片结温,钼铜,温降,比得,工作条件,散热能力,安全工作,工作温度,金刚石材料
AB值：
0.204767
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