典型文献
使用In2Ga2ZnO7陶瓷靶材制备α-IGZO薄膜的光电性能研究
文献摘要：
本文采用高纯度In2Ga2ZnO7陶瓷靶材通过射频磁控溅射技术沉积铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜.研究了IGZO薄膜的微观结构、生长状态、光学和电学性能.结果表明,在室温下制备的IGZO薄膜表面均匀且光滑.随着衬底温度的升高,薄膜的表面粗糙度逐渐增大.从室温升至300℃,所有制备的IGZO薄膜均是非晶态的,并具有良好的热稳定性.此外,可见光区域的透过率从91.93％下降到91.08％,光学带隙略有下降(3.79～3.76 eV).通过原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同温度下制备的IGZO薄膜的表征,可知在室温下制备的薄膜的表面粗糙度最小,并且氧空位含量最高.随着温度的升高,不均匀的颗粒分布,表面粗糙度的增加,以及氧空位的减少导致了α-IGZO薄膜的性能降低.综合分析可知,在室温下沉积的IGZO薄膜可以获得最佳的光学和电学性能,同时也预示了其在柔性衬底上的应用潜力.
文献关键词：
陶瓷氧化物;溅射薄膜;微观结构;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
张雨;陈杰;孙本双;刘帅;王之君;刘书含;舒永春;何季麟
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]张雨;陈杰;孙本双;刘帅;王之君;刘书含;舒永春;何季麟-.使用In2Ga2ZnO7陶瓷靶材制备α-IGZO薄膜的光电性能研究)[J].中南大学学报（英文版）,2022(04):1062-1074
A类：
In2Ga2ZnO7
B类：
靶材,IGZO,光电性能,高纯度,射频磁控溅射,磁控溅射技术,生长状态,电学性能,衬底温度,表面粗糙度,所有制,非晶态,热稳定性,可见光,透过率,光学带隙,eV,原子力显微镜,AFM,光电子能谱,XPS,氧空位,颗粒分布,获得最佳,预示,柔性衬底,陶瓷氧化物,溅射薄膜
AB值：
0.270129
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