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化学作用对AlN晶体研磨过程中材料去除行为的影响
文献摘要：
AlN晶体是一种脆性难加工半导体材料.为了高效率高质量制备AlN晶体衬底,设计了不同化学成分的研磨液研磨AlN晶体,借助激光共聚焦显微镜和X射线光电子能谱仪研究了化学作用对晶体表面材料去除行为的影响.结果表明:碱性研磨液有利于获得最佳研磨结果,材料去除率为23μm/h,表面粗糙度为Ra为122 nm.在碱性环境下研磨液中金刚石磨粒具有良好的分散性.碱性溶液能够腐蚀晶体表面,形成含碱式铝盐的变质层,并引起表面形貌产生显著改变.研磨界面内,化学作用导致AlN晶体表面产生变质层,便于材料的机械去除,从而有利于提升研磨效率和研磨质量.研究结果可为AlN晶体超精密加工工艺优化提供参考.
文献关键词：
氮化铝晶体;研磨;刻蚀;变质层
中图分类号：
作者姓名：
黄传锦;顾斌;周海;冯伟
作者机构：
盐城工学院机械学院,江苏 盐城 224051;常熟耐素生物材料科技有限公司,江苏 苏州 215500
文献出处：
引用格式：
[1]黄传锦;顾斌;周海;冯伟-.化学作用对AlN晶体研磨过程中材料去除行为的影响)[J].硅酸盐学报,2022(09):2470-2476
A类：
氮化铝晶体
B类：
化学作用,AlN,中材,去除行为,脆性,半导体材料,衬底,激光共聚焦显微镜,光电子能谱,能谱仪,晶体表面,表面材料,获得最佳,材料去除率,表面粗糙度,Ra,碱性环境,中金,金刚石磨粒,分散性,碱性溶液,碱式,铝盐,变质层,表面形貌,研磨效率,超精密加工,加工工艺优化,刻蚀
AB值：
0.308801
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