典型文献
NiCo2O4薄膜的制备及其磁电性能研究
文献摘要：
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在氧化镁(MgO(001))、钛酸锶(SrTiO3(001))和铝酸镁(MgAl204(001))3种衬底上,外延生长钴酸镍(NiCo2O4)薄膜.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对NiCo2O4薄膜进行形貌表征和结构分析,测试结果表明NiCo2O4薄膜具有平整的表面和优异的结晶度.采用综合物性测量系统(PPMS)测试NiCo2O4薄膜的电输运及磁性能,通过对比发现在MgO(001)和SrTiO3(001)衬底上生长的NiCo2O4薄膜呈半导体特性,并且磁性较弱,而在MgAl2O4(001)衬底上生长的NiCo2O4薄膜具有金属性和室温亚铁磁性,并且表现出明显的垂直磁各向异性.综合分析表明,不同衬底上制备的NiCo2O4薄膜受外延应变、沉积温度(Tg)及氧分压(po2)的影响,会表现出差异较大的磁电特性.通过优化衬底的选择以及生长参数的调整,本文可以制备出具有垂直磁各向异性的室温亚铁磁金属NiCo2O4薄膜,可用于微型自旋电子学器件的制备.
文献关键词：
脉冲激光沉积;NiCo2O4薄膜;金属性;室温亚铁磁;垂直磁各向异性
中图分类号：
作者姓名：
周国伟;康鹏华
作者机构：
山西师范大学化学与材料科学学院,磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室,山西临汾041004
文献出处：
引用格式：
[1]周国伟;康鹏华-.NiCo2O4薄膜的制备及其磁电性能研究)[J].稀有金属,2022(07):975-981
A类：
MgAl204,钴酸镍,室温亚铁磁,po2
B类：
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AB值：
0.281865
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