典型文献
溅射功率和气压对直流磁控溅射制备钨薄膜的影响
文献摘要:
采用DC磁控溅射技术在硅衬底上制备钨薄膜,探究了溅射功率和气压对钨薄膜沉积速率、电阻率和相结构的影响.采用原子力显微镜、XRD、轮廓仪、四探针测电阻表征了薄膜的微观结构和电学性能.结果 表明,薄膜的沉积速率受溅射功率和气压共同影响,随功率的增加呈线性增加,随溅射气压的增加先达到峰值,然后下降.薄膜的电阻率和表面粗糙度的大小依赖于溅射气压,且随溅射气压的增加而增加,薄膜电阻率的增加可能是由于表面粗糙度的增加导致的.在恒定的溅射功率下,β-w的形成主要取决于溅射气压,几乎所有β-W相都在高溅射气压下形成,然而,当溅射功率足够大,在较高的气压下也会观察到部分α-W相的形成.钨薄膜中特定相结构(α-w/β-w)的形成,不仅取决于沉积气压,还与溅射功率相关,最终可能与入射到基片的原子能量相关.
文献关键词:
磁控溅射;钨薄膜;相结构;沉积速率;电阻率
中图分类号:
作者姓名:
邢晓帅;刘影夏;于晓东;程荆卫;赵修臣;聂志华;谭成文
作者机构:
北京理工大学材料科学与工程学院,北京100081
文献出处:
引用格式:
[1]邢晓帅;刘影夏;于晓东;程荆卫;赵修臣;聂志华;谭成文-.溅射功率和气压对直流磁控溅射制备钨薄膜的影响)[J].稀有金属材料与工程,2022(02):682-688
A类:
B类:
溅射功率,直流磁控溅射,钨薄膜,DC,磁控溅射技术,硅衬底,薄膜沉积,沉积速率,电阻率,相结构,原子力显微镜,轮廓仪,四探针,测电阻,电阻表,电学性能,溅射气压,表面粗糙度,薄膜电阻,沉积气压,率相关,入射,射到,基片,原子能
AB值:
0.267253
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