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退火温度对锗薄膜光学性能和表面结构的影响
文献摘要：
研究了退火温度对电子束蒸发制备的锗薄膜光学性能和表面结构的影响规律.在硅基底上制备了厚度约850 nm的Ge薄膜,分别在350、400、450和500℃下进行退火.通过红外光谱仪测试了薄膜的透射率变化,采用光谱反演法得到了薄膜折射率和消光系数的变化规律,使用X射线衍射和原子力显微镜测试了样品的结晶特性和表面形貌.结果 表明,与退火前的薄膜各项参数相比,退火后薄膜的透射率升高,而折射率和消光系数下降.当退火温度从350℃升高到500℃,透射率和折射率均逐渐减小,而消光系数逐渐变大.在400℃以上进行退火处理的薄膜出现结晶现象,Ge(111)晶面为择优生长取向.随着退火温度的升高,晶粒尺寸变大,薄膜表面出现颗粒状物质,并且表面粗糙度升高.
文献关键词：
退火;锗薄膜;光学性能;表面结构
中图分类号：
作者姓名：
李坤;熊玉卿;王虎;高恒蛟;何延春;周晖
作者机构：
兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室,甘肃兰州730000
文献出处：
引用格式：
[1]李坤;熊玉卿;王虎;高恒蛟;何延春;周晖-.退火温度对锗薄膜光学性能和表面结构的影响)[J].稀有金属材料与工程,2022(01):18-23
A类：
B类：
退火温度,锗薄膜,薄膜光学,光学性能,表面结构,电子束蒸发,硅基底,Ge,红外光谱仪,光谱仪测试,透射率,谱反演,反演法,折射率,消光系数,原子力显微镜,结晶特性,表面形貌,退火处理,晶面,择优,优生,生长取向,晶粒尺寸,颗粒状,状物质,表面粗糙度
AB值：
0.31107
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