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原子层沉积法制备SnO2薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响
文献摘要：
本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池.通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO2薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影响,采用钙钛矿太阳能电池器件辅助验证SnO2薄膜的性能.研究发现,随着基底温度的升高,沉积速率逐渐下降,原子层沉积的温度窗口在120～250℃;折射率随着温度的升高逐渐增大,带隙随温度升高而减小;沉积温度越高,表面氧空位缺陷浓度越大.SnO2薄膜的工艺温度对钙钛矿太阳能电池性能有较大影响,采用160℃沉积的SnO2薄膜作钙钛矿太阳能电池的电子传输层,可获得最优的电池性能,反扫最高效率为18.68％,此时器件的截止电压为1.077 V,短路电流密度为23.67 mA/cm2,填充因子为73.3％,且器件具有较小的迟滞效应.
文献关键词：
原子层沉积;氧化锡薄膜;生长速率;氧空位;钙钛矿;太阳能电池
中图分类号：
作者姓名：
明帅强;王浙加;吴鹿杰;冯嘉恒;高雅增;卢维尔;夏洋
作者机构：
中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京100029;中国科学院大学微电子学院,北京101407;嘉兴科民电子设备技术有限公司,浙江 嘉兴314022;北京交通大学理学院,北京100044
文献出处：
引用格式：
[1]明帅强;王浙加;吴鹿杰;冯嘉恒;高雅增;卢维尔;夏洋-.原子层沉积法制备SnO2薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响)[J].材料导报,2022(07):122-127
A类：
氧化锡薄膜
B类：
原子层沉积法,SnO2,钙钛矿电池,电池性能,单晶硅,衬底,前驱体,沉积技术,电学性能,钙钛矿太阳能电池,基底温度,沉积温度,沉积速率,辅助验证,温度窗口,折射率,带隙,表面氧空位,氧空位缺陷,缺陷浓度,电子传输层,截止电压,短路电流密度,mA,填充因子,迟滞效应,生长速率
AB值：
0.270807
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