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微波退火时间对HfO2薄膜结构和光电性能的影响
文献摘要：
采用原子层沉积(ALD)方法在硅衬底上沉积了氧化铪(HfO2)薄膜,对其进行不同时间的微波退火(MWA).采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-Vis)、椭偏仪(SE)和阻抗分析仪对薄膜的物相结构、形貌和光电性能进行了表征,研究了微波退火时间对薄膜结构、光学和电学性能的影响.结果表明:沉积态的HfO2薄膜具有非晶态性质;当微波退火时间从5 min延长至20 min时,HfO2薄膜的折射率几乎不变,结晶性增强,表面粗糙度降低,介电常数减小.
文献关键词：
HfO2薄膜;原子层沉积;微波退火时间;折射率;介电常数
中图分类号：
作者姓名：
赵恒利;杨培志;李赛;周启航
作者机构：
云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南 昆明650500;楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南楚雄675000
文献出处：
引用格式：
[1]赵恒利;杨培志;李赛;周启航-.微波退火时间对HfO2薄膜结构和光电性能的影响)[J].稀有金属材料与工程,2022(04):1325-1331
A类：
微波退火时间
B类：
HfO2,薄膜结构,光电性能,原子层沉积,ALD,硅衬底,氧化铪,MWA,拉曼光谱,Raman,原子力显微镜,AFM,紫外可见光谱,UV,Vis,SE,阻抗分析仪,物相结构,电学性能,沉积态,非晶态,折射率,结晶性,表面粗糙度,介电常数
AB值：
0.262493
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