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《半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应》专栏发刊词
文献摘要：
经过半年多的征稿与筹备,《半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应》专栏正式和大家见面了!
从地面到浩瀚深空,我们生产生活及国防安全中使用的电子产品,涉及半导体材料、器件、电路与集成微系统,会与多种辐射因素(包括质子、中子、重离子、高能伽马射线等)发生极为复杂的相互作用,形成各种各样的辐射效应,并通过与其他环境及工艺因素相互耦合,随尺度逐层传递、放大,给电子产品的可靠性和寿命带来不可忽视的影响.以航天领域为例,据资料记载,由各种辐射效应所引起的航天器故障约占总故障的40％左右,居航天器各类故障之首.未来航天器的运行周期更长,运行环境更加复杂,伴随电子产品材料体系更多样,集成度更高,功能更复杂,电子产品的辐射可靠性问题将面临更多的新挑战.因此,深入研究半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应机制,开发辐射效应多尺度建模与数值仿真技术、精密表征与实验测试技术,以此为基础提高其抗辐射能力,具有极为重要的科学意义与实际价值.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
李沫;郭红霞;郭旗;贺朝会;薛建明;郑雪峰
作者机构：
中国光学学会
文献出处：
引用格式：
[1]李沫;郭红霞;郭旗;贺朝会;薛建明;郑雪峰-.《半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应》专栏发刊词)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):后插1
A类：
B类：
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AB值：
0.368102
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