典型文献
单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究
文献摘要：
二硫化钼(MoS2)作为一种新兴的二维半导体材料,它具有天然原子级的厚度以及优异的光电特性和机械性能,在未来超大规模集成电路中具有巨大的应用潜力.本文综述了我们课题组在过去几年中在单层MoS2薄膜研究方面所取得的进展,具体包括:在MoS2薄膜制备方面,通过氧辅助气相沉积方法,实现了大尺寸MoS2单晶的可控生长;通过独特的多源立式生长方法,实现了4 in晶圆级大晶粒高定向的单层MoS2薄膜的外延生长,样品显示出极高的光学和电学质量,是目前国际上报道的质量最好的晶圆级MoS2样品;通过调节MoS2薄膜的氧掺杂浓度,可以实现对其电学和光学特性的有效调控.在MoS2薄膜器件与应用方面,利用制备的高质量单层MoS2薄膜,实现了高性能柔性晶体管的集成,这种大面积柔性逻辑和存储器件显示出优异的电学性能;在集成多层场效应晶体管的基础上,设计,加工了垂直集成的多层全二维材料的多功能器件,充分发挥器件的组合性能,实现了"感-存-算"的一体化;制备了全二维材料浮栅存储器,实现了功耗低,可靠性好,且高度对称和线性度可调的突触权重输出的人工突触器件;通过引入结构域边界提高MoS2基地面的电催化析氢反应(HER)催化活性等.我们在MoS2薄膜的制备以及器件特性方面所取得的进展对于MoS2的基础和应用研究均具有指导意义.
文献关键词：
单层MoS2;化学气相沉积;生长调控;场效应晶体管
中图分类号：
作者姓名：
李璐;张养坤;时东霞;张广宇
作者机构：
中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家研究中心, 中国科学院纳米物理与器件重点实验室, 北京 100190;中国科学院大学物理科学学院, 北京 100049;纳米材料与器件物理北京市重点实验室, 北京 100190;量子物质科学协同创新中心, 北京 100190
文献出处：
引用格式：
[1]李璐;张养坤;时东霞;张广宇-.单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究)[J].物理学报,2022(10):45-70
A类：
B类：
二硫化钼,器件应用,MoS2,二维半导体材料,原子级,光电特性,机械性能,超大规模集成电路,薄膜制备,大尺寸,单晶,可控生长,立式,晶圆级,大晶粒,外延生长,上报,氧掺杂,掺杂浓度,光学特性,有效调控,薄膜器件,存储器,电学性能,场效应晶体管,二维材料,功能器件,组合性,浮栅,功耗,线性度,突触权重,人工突触,结构域,电催化析氢反应,HER,催化活性,器件特性,化学气相沉积,生长调控
AB值：
0.328342
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