典型文献
InP中子位移损伤效应的Geant4模拟
文献摘要：
磷化铟(InP)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中,InP半导体器件受大气中子辐照影响,器件性能发生退化.本文采用蒙特卡罗模拟软件Geant4对InP中子辐照效应进行模拟,得到InP中不同能量中子产生的位移损伤初态分布.结果表明:在微米量级内,非电离能量损失(NIEL)随深度均匀分布,在厘米及更高量级上,NIEL随着入射深度的增大而降低,当靶材料足够厚时可以降低至零;分析1—20 MeV中子入射3μm InP产生的NIEL及其随深度分布,发现NIEL随入射中子能量的增加呈现出先升后降的趋势,该趋势主要由非弹性散射反应产生的初级反冲原子(PKA)造成;分析1—20 MeV中子入射3μm InP产生的PKA种类、能量,发现In/P的PKA占比较大,是产生位移损伤的主要因素,中子能量越高,PKA的种类越丰富,PKA最大动能越大,但PKA主要分布在低能部分.研究结果对InP基5G器件在大气中子辐射环境中的长期应用具有理论和指导价值.
文献关键词：
中子;InP;位移损伤;非电离能量损失
中图分类号：
作者姓名：
李薇;白雨蓉;郭昊轩;贺朝会;李永宏
作者机构：
西安交通大学核科学与技术系, 西安 710049
文献出处：
引用格式：
[1]李薇;白雨蓉;郭昊轩;贺朝会;李永宏-.InP中子位移损伤效应的Geant4模拟)[J].物理学报,2022(08):71-78
A类：
非电离能量损失,NIEL
B类：
InP,位移损伤效应,Geant4,磷化铟,第二代,化合物半导体,半导体材料,抗辐照,光电转换效率,光子,半导体器件,大气中子,中子辐照,器件性能,蒙特卡罗模拟,辐照效应,微米,均匀分布,厘米,高量级,入射,靶材料,MeV,深度分布,射中,非弹性散射,反冲,PKA,中子辐射,辐射环境,长期应用,指导价值
AB值：
0.294183
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