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氧化镓半导体核辐射探测器研究现状
文献摘要：
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性,且易于商业化生产,是在高性能核辐射探测器领域中应用的研究热点.本文介绍了 Ga2O3半导体材料的物理特性、制备方法和器件类型;简述了 Ga2O3半导体器件在核辐射探测领域中的国内外研究现状;总结了肖特基结型和高阻型2种辐射探测器的特性及应用方向;分析了影响Ga2O3半导体核辐射探测器性能的关键因素,指出Ga2O3半导体核辐射探测器目前研究面临的主要问题;提出了 Ga2O3半导体核辐射探测器研究与发展方向的建议.
文献关键词：
超宽禁带半导体;Ga2O3;半导体探测器;辐射测量
中图分类号：
作者姓名：
周磊簜;陈亮;卢星;欧阳晓平
作者机构：
西安交通大学微电子学院,西安710049;西北核技术研究所,西安710024;中山大学电子与信息工程学院,广州510275
文献出处：
引用格式：
[1]周磊簜;陈亮;卢星;欧阳晓平-.氧化镓半导体核辐射探测器研究现状)[J].现代应用物理,2022(01):1-19
A类：
B类：
氧化镓,核辐射探测器,Ga2O3,击穿,电场强度,载流子浓度,抗辐照性能,半导体材料,物理特性,制备方法,半导体器件,国内外研究现状,肖特基结,特性及应用,应用方向,研究与发展,超宽禁带半导体,半导体探测器,辐射测量
AB值：
0.194266
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