典型文献
外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控
文献摘要：
鉴于实验上最新合成的二维半导体材料WSi2N4(WSN)和二维金属材料MoSH(MSH),构建了金属-半导体MSH/WSN肖特基结.在实际的金属-半导体接触应用中,肖特基势垒的存在严重降低了器件的性能.因此,获得较小的肖特基势垒甚至是欧姆接触至关重要.本文使用第一性原理计算研究了在外电场和双轴应变作用下MSH/WSN肖特基结势垒的变化.计算结果表明,外电场和双轴应变均可以有效地调控MSH/WSN肖特基结势垒.正向外电场能实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触之间的动态转化,而负向外电场可实现MSH/WSN肖特基结向欧姆接触的转化.此外,较大的双轴应变可实现MSH/WSN肖特基结p型与n型肖特基接触的相互转化.此项工作为基于WSN半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管提供理论指导.
文献关键词：
WSi2N4;MoSH;金属-半导体接触;肖特基接触
中图分类号：
作者姓名：
梁前;钱国林;罗祥燕;梁永超;谢泉
作者机构：
贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
文献出处：
引用格式：
[1]梁前;钱国林;罗祥燕;梁永超;谢泉-.外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控)[J].物理学报,2022(21):274-282
A类：
MoSH,WSi2N4
B类：
外电场,双轴应变,肖特基结,二维半导体材料,WSN,金属材料,MSH,肖特基势垒,欧姆接触,第一性原理计算,应变作用,肖特基接触,相互转化,此项工作,功能器件,场效应晶体管
AB值：
0.15642
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