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SiC功率器件辐照效应研究进展
文献摘要：
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础.在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件(SiC SBD、SiC JBS、SiC MOSFET)在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考.
文献关键词：
SiC功率器件;肖特基势垒二极管;结势垒肖特基二极管;MOSFET;空间辐射效应;损伤机理
中图分类号：
作者姓名：
刘超铭;王雅宁;魏轶聃;王天琦;齐春华;张延清;马国亮;刘国柱;魏敬和;霍明学
作者机构：
哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院,哈尔滨 150001;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]刘超铭;王雅宁;魏轶聃;王天琦;齐春华;张延清;马国亮;刘国柱;魏敬和;霍明学-.SiC功率器件辐照效应研究进展)[J].电子与封装,2022(06):1-12
A类：
结势垒肖特基二极管
B类：
SiC,功率器件,辐照效应,多航天器,器用,电子设备,深空探测,顺利进行,发展概况,SBD,JBS,MOSFET,空间辐射环境,性能退化,退化规律,损伤机理,抗辐射,肖特基势垒二极管,空间辐射效应
AB值：
0.322378
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