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"宽禁带半导体材料与器件"专题前言
文献摘要：
一代材料催生一代器件,引领一代产业.以硅、锗和砷化镓等半导体材料为代表的光电器件在过去几十年里对社会发展产生了深远影响,广泛地应用于集成电路、光电子与微电子等领域,形成了规模庞大的半导体产业集群.然而,这些光电器件的部分关键性能仍受限于材料的本征禁带宽度,更大的禁带宽度成了材料迭代的诉求.因此,发展宽禁带半导体材料成为突破硅、锗和传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件瓶颈的关键,并与硅集成电路进行异质集成,拓展更为广泛的应用空间.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
刘斌;张佰君;张源涛
作者机构：
南京大学电子科学与工程学院;中山大学;吉林大学
文献出处：
引用格式：
[1]刘斌;张佰君;张源涛-."宽禁带半导体材料与器件"专题前言)[J].半导体光电,2022(03):前插1-前插2
A类：
B类：
宽禁带半导体,半导体材料,前言,砷化镓,光电器件,集成电路,光电子,微电子,半导体产业,产业集群,关键性能,受限于,禁带宽度,展宽,化合物半导体,半导体器件,异质集成,应用空间
AB值：
0.320557
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