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纳米器件单粒子瞬态仿真研究
文献摘要：
利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28nm体硅器件的单粒子瞬态(SET)效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响.随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小.与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著.仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面.
文献关键词：
单粒子瞬态;辐射效应仿真;电荷共享
中图分类号：
作者姓名：
殷亚楠;王玧真;邱一武;周昕杰;郭刚
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072;中国原子能科学研究院,北京 102413
文献出处：
引用格式：
[1]殷亚楠;王玧真;邱一武;周昕杰;郭刚-.纳米器件单粒子瞬态仿真研究)[J].电子与封装,2022(07):57-63
A类：
电荷共享,辐射效应仿真
B类：
单粒子瞬态,瞬态仿真,仿真研究,利用计算机,计算机辅助设计,辅助设计软件,不同条件下,28nm,体硅,SET,能量转移,入射角度,极间距,脉冲幅度,脉冲宽度,垂直入射,射下,小程,反相器,相异,用器,重离子,单粒子效应,反应截面
AB值：
0.348241
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