典型文献
一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固设计与试验评估
文献摘要：
总剂量效应是制约COTS器件空间应用的主要因素之一.为满足空间应用对电子系统高性能、小型化及抗辐射的需求,对一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固方案进行设计,采用模型分析与地面试验结合的方法对微系统的抗总剂量辐射能力进行评估.该评估方法将微系统作为设备与器件的一种结合体,先按照设备进行整体模型评估,后按照器件进行试验评估,提高了评估的效率,具有较强的工程实用价值.60Co?γ射线辐照试验结果表明:加固后SiP微系统的抗总剂量能力不低于150?krad(Si),可以满足相关任务应用需要.该微系统的抗总剂量效应加固设计和总剂量效应评估方法可为相关微系统研制提供参考.
文献关键词：
SiP微系统;总剂量效应;抗辐射加固;屏蔽模型;辐照试验
中图分类号：
作者姓名：
许振龙;伍攀峰;李杰;王明贺
作者机构：
山东航天电子技术研究所,烟台 264003
文献出处：
引用格式：
[1]许振龙;伍攀峰;李杰;王明贺-.一种基于COTS器件的SiP微系统的抗总剂量效应加固设计与试验评估)[J].航天器环境工程,2022(03):248-254
A类：
抗总剂量辐射,krad
B类：
COTS,SiP,微系统,总剂量效应,加固设计,空间应用,电子系统,小型化,加固方案,地面试验,辐射能力,结合体,照设,整体模型,模型评估,60Co,辐照试验,效应评估,系统研制,抗辐射加固,屏蔽模型
AB值：
0.233326
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