典型文献
一种新型VDMOS器件结构的设计与实现
文献摘要：
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工作频率高以及热稳定性好等特点.提出一款60 V平面栅VDMOS器件的设计与制造方法,开发出一种新结构方案,通过减少一层终端层版图的光刻,将终端结构与有源区结构结合在一张光刻版上,并在终端工艺中设计了一种改善终端耐压的钝化结构,通过使用聚酰亚胺光刻胶(PI)钝化工艺代替传统的氮化硅钝化层.测试结果表明产品满足设计要求,以期为其他规格的芯片设计提供一种新的设计思路.
文献关键词：
功率器件;垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS);终端结构;击穿电压;钝化工艺
中图分类号：
作者姓名：
董子旭;王万礼;赵晓丽;张馨予;刘晓芳
作者机构：
天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300384;天津环鑫科技发展有限公司,天津 300384
文献出处：
引用格式：
[1]董子旭;王万礼;赵晓丽;张馨予;刘晓芳-.一种新型VDMOS器件结构的设计与实现)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(04):402-406
A类：
B类：
VDMOS,器件结构,双扩散,氧化物半导体,场效应晶体管,多子,载流子,开关损耗,输入阻抗,工作频率,热稳定性,设计与制造,制造方法,新结构,结构方案,终端层,版图,终端结构,有源,源区,张光,光刻版,中设计,善终,耐压,聚酰亚胺,光刻胶,钝化工艺,氮化硅,钝化层,芯片设计,功率器件,击穿电压
AB值：
0.41685
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