典型文献
碳化硅MOSFET电学参数的电容-电阻法评估
文献摘要：
阈值电压、栅内阻、栅电容是碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的重要电学参数,但受限于器件寄生电阻、栅介质界面态等因素,其提取过程较为复杂且容易衍生不准确性.文章通过器件建模和实验测试,揭示了 MOSFET的栅电容非线性特征,构建了电容-电阻串联电路测试方法,研究了 SiC MOSFET的栅内阻和阈值电压特性.分别获得栅极阻抗和栅源电压、栅极电容和栅源电压的变化规律,得到栅压为-10 V时的栅内阻与 目标值误差小于0.5Ω,以及串联电容相对栅源电压变化最大时的电压近似为器件阈值电压.相关结果与固定电流法作比较,并分别在SiC平面栅和沟槽栅MOSFET中得到验证.因此,该种电容-电阻法为SiC MOSFET器件所面临的阈值电压漂移、栅极开关振荡现象提供较为便捷的评估和预测手段.
文献关键词：
碳化硅;金属氧化物半导体场效应晶体管;阈值电压;栅内阻;小信号模型
中图分类号：
作者姓名：
杨霏;田丽欣;申占伟;张文婷;孙国胜;魏晓光
作者机构：
先进输电技术国家重点实验室(国网智能电网研究院有限公司),北京昌平102209;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
文献出处：
引用格式：
[1]杨霏;田丽欣;申占伟;张文婷;孙国胜;魏晓光-.碳化硅MOSFET电学参数的电容-电阻法评估)[J].半导体光电,2022(04):770-776
A类：
栅内阻
B类：
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AB值：
0.290836
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