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硅基底上二维硒氧化铋的化学气相沉积法合成及其光电探测应用
文献摘要：
半导体加工工艺微缩过程中,硅基材料的短沟道效应带来的低能效促使研究人员寻找新型半导体替代材料.二维半导体因其原子级别的厚度以及范德瓦耳斯表面而倍受关注,二维硒氧化铋就是其中迁移率、稳定性以及成本各方面较为均衡的一种.然而,其制备受到基底很严格的限制,导致器件加工难度较大.本文利用化学气相沉积法直接在硅片基底上合成出规格为25μm×51.0 nm(厚度)的二维硒氧化铋,并通过拉曼光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线能谱对其进行表征.同时,通过场效应晶体管输运的测试得出其迁移率为80.0 cm2/(V·s)以及光电探测得出其具有2.45×104 A/W的光响应度和6×104的光增益等比较出色的表现.但由于厚度较大,导致其场效应管开关比低(2500)以及不高的光电探测灵敏度(5×1010 Jones).由此可知,硅片基底虽然带来器件加工上的便利性,但有待进一步优化生长,并集成更多种材料的应用.
文献关键词：
二维材料;化学气相沉积;硒氧化铋;光电探测器
中图分类号：
作者姓名：
傅群东;王小伟;周修贤;朱超;刘政
作者机构：
新加坡南洋理工大学,材料科学与工程学院,新加坡 639798
文献出处：
引用格式：
[1]傅群东;王小伟;周修贤;朱超;刘政-.硅基底上二维硒氧化铋的化学气相沉积法合成及其光电探测应用)[J].物理学报,2022(16):269-276
A类：
硒氧化铋
B类：
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AB值：
0.288741
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